龙腾半导体申请屏蔽栅沟槽型功率器件的终端版图结构专利，优化终端区域电荷平衡效果

金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率器件的终端版图结构”的专利，公开号 CN 119743989 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的终端版图结构，其主要包括用于刻蚀沟槽的长条形